Efficient intrinsic spin relaxation in graphene due to flexural distortions

Empreu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem http://hdl.handle.net/10045/25275
Información del item - Informació de l'item - Item information
Títol: Efficient intrinsic spin relaxation in graphene due to flexural distortions
Autors: Fratini, Simone | Gosálbez-Martínez, Daniel | Merodio Cámara, Pablo | Fernández-Rossier, Joaquín
Grups d'investigació o GITE: Grupo de Nanofísica
Centre, Departament o Servei: Universidad de Alicante. Departamento de Física Aplicada
Paraules clau: Intrinsic spin scattering mechanism | Graphene | Atomic spin-orbit interaction | Flexural distortions
Àrees de coneixement: Física de la Materia Condensada
Data de publicació: 28-de febrer-2012
Resum: We propose an intrinsic spin scattering mechanism in graphene originated by the interplay of atomic spin-orbit interaction and the local curvature induced by flexural distortions of the atomic lattice. Starting from a multiorbital tight-binding Hamiltonian with spin-orbit coupling considered non-perturbatively, we derive an effective Hamiltonian for the spin scattering of the Dirac electrons due to flexural distortions. We compute the spin lifetime due to both flexural phonons and ripples and we find values in the 1-10 ns range at room temperature. The proposed mechanism dominates the spin relaxation in high mobility graphene samples and should also apply to other planar aromatic compounds.
Patrocinadors: This work has been financially supported by MEC-Spain (MAT07-67845, FIS2010-21883-C02-01, and CONSOLIDER CSD2007-00010) and Generalitat Valenciana (ACOMP/2010/070).
URI: http://hdl.handle.net/10045/25275
Idioma: eng
Tipus: info:eu-repo/semantics/preprint
Revisió científica: no
Apareix a la col·lecció: INV - Grupo de Nanofísica - Artículos de Revistas

Arxius per aquest ítem:
Arxius per aquest ítem:
Arxiu Descripció Tamany Format  
Thumbnail2012_Fratini_etal_Efficient_intrinsic_spin_relaxation.pdf592,72 kBAdobe PDFObrir Vista prèvia


Tots els documents dipositats a RUA estan protegits per drets d'autors. Alguns drets reservats.